Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 51.050
$ 1.021 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 60.750
$ 1.214,99 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.8 A
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Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


