Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.8A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46.5nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
9.3mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 51.050
$ 1.021 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 60.750
$ 1.214,99 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 51.050
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50
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.8A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46.5nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
9.3mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


