Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
9A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
950V
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.25Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
13nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications Product status link requiring superior power density and high efficiency.
Volver a intentar más tarde
$ 68.900
$ 1.378 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 81.991
$ 1.639,82 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
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Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
9A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
950V
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.25Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
13nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications Product status link requiring superior power density and high efficiency.