Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-220
Serie
STripFET II
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
14Ω
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
54nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 7.875
$ 1.575 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 9.371
$ 1.874,25 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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Estándar
5
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STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-220
Serie
STripFET II
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
14Ω
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
54nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


