Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
23mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
104nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 17.720
$ 3.544 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 21.087
$ 4.217,36 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 17.720
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$ 4.217,36 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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Estándar
5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 3.544 | $ 17.720 |
| 10 - 95 | $ 3.005 | $ 15.025 |
| 100 - 495 | $ 2.334 | $ 11.670 |
| 500 - 995 | $ 1.994 | $ 9.970 |
| 1000+ | $ 1.666 | $ 8.330 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
23mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
104nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


