MOSFET STMicroelectronics STP60NF10, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
104 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Altura
15.75mm
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 112.600
$ 2.252 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 133.994
$ 2.679,88 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.252 | $ 112.600 |
| 100 - 450 | $ 1.750 | $ 87.500 |
| 500 - 950 | $ 1.492 | $ 74.600 |
| 1000 - 4950 | $ 1.247 | $ 62.350 |
| 5000+ | $ 1.169 | $ 58.450 |
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N
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Series
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Altura
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STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
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