MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET II
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
14mΩ
Modo de canal
Mejora
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
15 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
35nC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Anchura
4.6 mm
Altura
9.15mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de canal
Mejora
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
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15 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
35nC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Anchura
4.6 mm
Altura
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Largo
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RoHS
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No
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