MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP60NF06, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
49nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
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Series
STripFET II
Tipo de soporte
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
49nC
Temperatura Máxima de Operación
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No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
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