Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de elementos por chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.4mm
Ancho
4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
43 nC a 5 V
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Serie
STripFET II
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de elementos por chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.4mm
Ancho
4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
43 nC a 5 V
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Serie
STripFET II