MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP57N65M5, VDSS 710 V, ID 42 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
42A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
63mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
98nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 13.703
$ 13.703 Each (Sin IVA)
$ 16.307
$ 16.307 Each (IVA Inc.)
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1
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 13.703 |
| 5 - 9 | $ 13.010 |
| 10 - 24 | $ 11.734 |
| 25 - 49 | $ 10.553 |
| 50+ | $ 10.033 |
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
63mΩ
Modo de Canal
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250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
98nC
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Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
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Longitud
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No
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No
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El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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