MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP55NF06L, VDSS 60 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
55A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
18mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
95W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
16 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
27nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 10.080
$ 2.016 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 11.995
$ 2.399,04 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 2.016 | $ 10.080 |
| 10 - 20 | $ 1.818 | $ 9.090 |
| 25 - 95 | $ 1.717 | $ 8.585 |
| 100 - 495 | $ 1.329 | $ 6.645 |
| 500+ | $ 1.125 | $ 5.625 |
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55A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
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Series
STripFET II
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
18mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
95W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
16 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
27nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
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No
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No
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