MOSFET STMicroelectronics STP55NF06L, VDSS 60 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
95000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
50
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
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Material del transistor
Si
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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