Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
36A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-LL
Serie
STP50N60DM6
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
80mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
55nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
4.4mm
Longitud
28.9mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
10mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.
Volver a intentar más tarde
$ 292.950
$ 5.859 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 348.610
$ 6.972,21 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 292.950
$ 5.859 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 348.610
$ 6.972,21 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 5.859 | $ 292.950 |
| 100 - 200 | $ 4.698 | $ 234.900 |
| 250 - 450 | $ 4.558 | $ 227.900 |
| 500 - 950 | $ 4.442 | $ 222.100 |
| 1000+ | $ 4.330 | $ 216.500 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
36A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-LL
Serie
STP50N60DM6
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
80mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
55nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
4.4mm
Longitud
28.9mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
10mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.