MOSFET STMicroelectronics STP4N150, VDSS 1.500 V, ID 4 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 761-0588Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP4N150
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1500 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

MDmesh

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 10 V

Profundidad

4.6mm

Altura

15.75mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 6.741

$ 6.741 Each (Sin IVA)

$ 8.022

$ 8.022 Each (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 6.741
5 - 9$ 6.410
10 - 24$ 5.765
25 - 49$ 5.198
50+$ 4.930

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N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1500 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

MDmesh

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

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Profundidad

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Altura

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