Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
15.75mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 6.741
$ 6.741 Each (Sin IVA)
$ 8.022
$ 8.022 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 6.741
$ 6.741 Each (Sin IVA)
$ 8.022
$ 8.022 Each (IVA Inc.)
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 6.741 |
| 5 - 9 | $ 6.410 |
| 10 - 24 | $ 5.765 |
| 25 - 49 | $ 5.198 |
| 50+ | $ 4.930 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
15.75mm
Datos del producto


