MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP45NF06, VDSS 60 V, ID 38 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
38A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
28mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
80W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
32nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 81.100
$ 1.622 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 96.509
$ 1.930,18 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.622 | $ 81.100 |
| 100 - 450 | $ 1.213 | $ 60.650 |
| 500 - 950 | $ 1.028 | $ 51.400 |
| 1000 - 4950 | $ 824 | $ 41.200 |
| 5000+ | $ 751 | $ 37.550 |
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MOSFET
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Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
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Series
STripFET II
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
28mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
80W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
32nC
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Temperatura Máxima de Operación
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Ancho
4.6 mm
Altura
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Longitud
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No
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