MOSFET STMicroelectronics STP45NF06, VDSS 60 V, ID 38 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
38 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 81.100
$ 1.622 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 96.509
$ 1.930,18 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.622 | $ 81.100 |
| 100 - 450 | $ 1.213 | $ 60.650 |
| 500 - 950 | $ 1.028 | $ 51.400 |
| 1000 - 4950 | $ 824 | $ 41.200 |
| 5000+ | $ 751 | $ 37.550 |
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
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28 m.Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
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2V
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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