MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP45N65M5, VDSS 710 V, ID 35 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
35A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
78mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
82nC
Tensión directa Vf
1.5V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Disipación de potencia máxima Pd
210W
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Distrelec Product Id
304-45-899
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 41.660
$ 8.332 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 49.575
$ 9.915,08 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 8.332 | $ 41.660 |
| 25 - 45 | $ 7.916 | $ 39.580 |
| 50 - 120 | $ 7.122 | $ 35.610 |
| 125+ | $ 7.081 | $ 35.405 |
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Encapsulado
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Series
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de Canal
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
82nC
Tensión directa Vf
1.5V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
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Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
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No
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Estándar de automoción
No
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China
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MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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