MOSFET STMicroelectronics STP43N60DM2, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

MDmesh DM2

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

93 mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Largo

10.4mm

Número de elementos por chip

1

Ancho

4.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.75mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

País de Origen

China