MOSFET STMicroelectronics STP43N60DM2, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
93 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
34 A
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650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
93 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
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