MOSFET STMicroelectronics STP40NF10, VDSS 100 V, ID 50 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 920-6654Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP40NF10
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

28 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

46,5 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

9.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STP40NF10, VDSS 100 V, ID 50 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

28 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

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1

Longitud:

10.4mm

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

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