Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


