MOSFET STMicroelectronics STP3N80K5, VDSS 800 V, ID 2,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 829-4436Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP3N80K5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Series

MDmesh K5, SuperMESH5

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

60 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+30 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9,5 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.75mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 6.975

$ 1.395 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 8.300

$ 1.660,05 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STP3N80K5, VDSS 800 V, ID 2,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 6.975
10$ 13.950
15$ 20.925
20$ 27.900
25$ 33.075
30$ 39.690
35$ 46.305
40$ 52.920
45$ 59.535
50$ 59.700
55$ 65.670
60$ 71.640
65$ 77.610
70$ 83.580
75$ 89.550

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30$ 39.690
35$ 46.305
40$ 52.920
45$ 59.535
50$ 59.700
55$ 65.670
60$ 71.640
65$ 77.610
70$ 83.580
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 20$ 1.395$ 6.975
25 - 45$ 1.323$ 6.615
50 - 120$ 1.194$ 5.970
125 - 245$ 1.074$ 5.370
250+$ 1.017$ 5.085

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TO-220

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

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60 W

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Si

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1

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