Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Tubo)
5
Volver a intentar más tarde
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


