Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Módulos MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
25A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Serie
ST
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.115Ω
Modo de canal
Depletion
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmeshTM DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado.
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$ 12.568
$ 6.284 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 14.956
$ 7.477,96 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
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2
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2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 6.284 | $ 12.568 |
| 10 - 18 | $ 4.788 | $ 9.576 |
| 20+ | $ 4.678 | $ 9.356 |
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Módulos MOSFET
Tipo de canal
Type N
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Serie
ST
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.115Ω
Modo de canal
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El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmeshTM DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado.
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