MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
315 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 238.600
$ 4.772 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 283.934
$ 5.678,68 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 4.772 | $ 238.600 |
| 100 - 450 | $ 4.123 | $ 206.150 |
| 500+ | $ 4.021 | $ 201.050 |
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N
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Series
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Anchura
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Material del transistor
Si
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1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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