Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET de potencia
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
180A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET H7
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2.7mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
315W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
180nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 14.018
$ 7.009 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 16.681
$ 8.340,71 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
$ 14.018
$ 7.009 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 16.681
$ 8.340,71 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
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Estándar
2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 7.009 | $ 14.018 |
| 10 - 98 | $ 5.977 | $ 11.954 |
| 100 - 498 | $ 4.772 | $ 9.544 |
| 500+ | $ 4.253 | $ 8.506 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET de potencia
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
180A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET H7
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2.7mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
315W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
180nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


