Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
30A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
75mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
38nC
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
30A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
75mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
38nC
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
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