MOSFET STMicroelectronics STP30NF20, VDSS 200 V, ID 30 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 116.550
$ 2.331 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 138.694
$ 2.773,89 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.331 | $ 116.550 |
| 100 - 200 | $ 2.074 | $ 103.700 |
| 250+ | $ 2.022 | $ 101.100 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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