MOSFET STMicroelectronics STP30NF10, VDSS 100 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 168-6102Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP30NF10
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

STripFET

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

115000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.6mm

Altura

9.15mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 64.750

$ 1.295 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 77.052

$ 1.541,05 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
50 - 50$ 1.295$ 64.750
100 - 450$ 978$ 48.900
500 - 950$ 821$ 41.050
1000 - 4950$ 660$ 33.000
5000+$ 600$ 30.000

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Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

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TO-220

Series

STripFET

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

115000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.6mm

Altura

9.15mm

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