MOSFET STMicroelectronics STP30NF10, VDSS 100 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 485-7585Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP30NF10
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

STripFET

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

115000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Anchura

4.6mm

Altura

9.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 7.090

$ 1.418 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 8.437

$ 1.687,42 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 5$ 1.418$ 7.090
10 - 20$ 1.279$ 6.395
25 - 95$ 1.210$ 6.050
100 - 495$ 914$ 4.570
500+$ 765$ 3.825

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Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

STripFET

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

115000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Anchura

4.6mm

Altura

9.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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