MOSFET STMicroelectronics STP28N60M2, VDSS 650 V, ID 22 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M2
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 7.024
$ 3.512 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 8.359
$ 4.179,28 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
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2
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2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 3.512 | $ 7.024 |
| 10 - 18 | $ 3.339 | $ 6.678 |
| 20 - 48 | $ 3.008 | $ 6.016 |
| 50 - 98 | $ 2.701 | $ 5.402 |
| 100+ | $ 2.567 | $ 5.134 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
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Tipo de Montaje
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Número de pines
3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Si
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1
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