Transistor MOSFET STMicroelectronics STP26N65DM2, ID 25 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35,5 NC a 10 V.
Altura
15.75mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 4.926
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 5.861,94
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
$ 4.926
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 5.861,94
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 4.926 | $ 24.630 |
| 25 - 45 | $ 4.631 | $ 23.155 |
| 50 - 120 | $ 4.386 | $ 21.930 |
| 125 - 245 | $ 4.135 | $ 20.675 |
| 250+ | $ 3.936 | $ 19.680 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35,5 NC a 10 V.
Altura
15.75mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products