Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
15A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
195mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
24nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Este MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida DM6 de MDmesh™. En comparación con la generación rápida anterior de MDmesh, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con un comportamiento de conmutación eficaz para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
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$ 164.600
$ 3.292 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 195.874
$ 3.917,48 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 164.600
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 3.292 | $ 164.600 |
| 100 - 200 | $ 3.204 | $ 160.200 |
| 250 - 450 | $ 3.119 | $ 155.950 |
| 500 - 950 | $ 3.038 | $ 151.900 |
| 1000+ | $ 2.963 | $ 148.150 |
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Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
15A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
195mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
24nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Este MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida DM6 de MDmesh™. En comparación con la generación rápida anterior de MDmesh, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con un comportamiento de conmutación eficaz para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
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