Transistor MOSFET STMicroelectronics STP26N60DM6, ID 15 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 192-4661Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP26N60DM6
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

15 A

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

195 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

4.6mm

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

Altura

15.75mm

País de Origen

China

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$ 164.600

$ 3.292 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 195.874

$ 3.917,48 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)

Transistor MOSFET STMicroelectronics STP26N60DM6, ID 15 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 164.600
100$ 320.400
150$ 480.600
200$ 640.800
250$ 779.750
300$ 935.700
350$ 1.091.650
400$ 1.247.600
450$ 1.403.550
500$ 1.519.000
550$ 1.670.900
600$ 1.822.800
650$ 1.974.700
700$ 2.126.600
750$ 2.278.500

$ 164.600

$ 3.292 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

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50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 164.600
100$ 320.400
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200$ 640.800
250$ 779.750
300$ 935.700
350$ 1.091.650
400$ 1.247.600
450$ 1.403.550
500$ 1.519.000
550$ 1.670.900
600$ 1.822.800
650$ 1.974.700
700$ 2.126.600
750$ 2.278.500

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
50 - 50$ 3.292$ 164.600
100 - 200$ 3.204$ 160.200
250 - 450$ 3.119$ 155.950
500 - 950$ 3.038$ 151.900
1000+$ 2.963$ 148.150

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Tipo de Canal

N

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15 A

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Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

195 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

4.6mm

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

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