Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
183 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 3.292
$ 3.292 Each (Sin IVA)
$ 3.917
$ 3.917 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
183 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


