Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
183nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
4.6 mm
Certificaciones y estándares
No
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 3.292
$ 3.292 Each (Sin IVA)
$ 3.917
$ 3.917 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
183nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
4.6 mm
Certificaciones y estándares
No
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


