MOSFET STMicroelectronics STP260N6F6, VDSS 60 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Anchura
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
183 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Anchura
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
183 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
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