Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
17A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
190mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46nC
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
10.4mm
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 138.600
$ 2.772 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 164.934
$ 3.298,68 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 138.600
$ 2.772 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 164.934
$ 3.298,68 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.772 | $ 138.600 |
| 100 - 200 | $ 2.162 | $ 108.100 |
| 250+ | $ 1.947 | $ 97.350 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
17A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
190mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46nC
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
10.4mm
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto


