MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-220
Serie
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.2mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 168.200
$ 3.364 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 200.158
$ 4.003,16 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 3.364 | $ 168.200 |
| 100 - 200 | $ 3.278 | $ 163.900 |
| 250+ | $ 3.196 | $ 159.800 |
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MOSFET
Tipo de Canal
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Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
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Serie
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Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.2mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
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