Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.2mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 8.348
$ 4.174 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 9.934
$ 4.967,06 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 4.174 | $ 8.348 |
| 10 - 18 | $ 4.032 | $ 8.064 |
| 20 - 48 | $ 3.938 | $ 7.876 |
| 50 - 98 | $ 3.835 | $ 7.670 |
| 100+ | $ 3.733 | $ 7.466 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.2mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


