MOSFET STMicroelectronics STP240N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 860-7567Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP240N10F7
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

DeepGate, STripFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

160 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

15.75mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

$ 8.348

$ 4.174 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 9.934

$ 4.967,06 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STP240N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 8.348
4$ 16.696
6$ 25.044
8$ 33.392
10$ 40.320
12$ 48.384
14$ 56.448
16$ 64.512
18$ 72.576
20$ 78.760
22$ 86.636
24$ 94.512
26$ 102.388
28$ 110.264
30$ 118.140

$ 8.348

$ 4.174 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 9.934

$ 4.967,06 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STP240N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Volver a intentar más tarde

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 8.348
4$ 16.696
6$ 25.044
8$ 33.392
10$ 40.320
12$ 48.384
14$ 56.448
16$ 64.512
18$ 72.576
20$ 78.760
22$ 86.636
24$ 94.512
26$ 102.388
28$ 110.264
30$ 118.140

Volver a intentar más tarde

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 8$ 4.174$ 8.348
10 - 18$ 4.032$ 8.064
20 - 48$ 3.938$ 7.876
50 - 98$ 3.835$ 7.670
100+$ 3.733$ 7.466

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

DeepGate, STripFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

160 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

15.75mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más