MOSFET de potencia canal N,STP22NE10L
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Altura
15.75mm
Ancho
4.6mm
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Altura
15.75mm
Ancho
4.6mm