Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Corriente de Salida
18.5A
Número de pines
3
Tiempo de caída
40ns
Encapsulado
TO-220
Tipo de unidad
MOSFET
Tiempo de Ascenso
27ns
Tensión de Alimentación Mínima
3V
Tensión de Alimentación Máxima
30V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
5.15mm
Altura
34.95mm
Certificaciones y estándares
No
Longitud:
15.75mm
Tipo de Montaje
Through Hole
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados usando la tecnología MDmesh™ M2. Esta revolucionaria tecnología MOSFET de potencia de alta tensión resistente a avalancha se basa en una innovadora estructura vertical propia. El resultado es una reducción drástica de resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
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ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
Volver a intentar más tarde
$ 223.350
$ 4.467 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 265.786
$ 5.315,73 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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Tipo de unidad
MOSFET
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3V
Tensión de Alimentación Máxima
30V
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-55°C
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Ancho
5.15mm
Altura
34.95mm
Certificaciones y estándares
No
Longitud:
15.75mm
Tipo de Montaje
Through Hole
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados usando la tecnología MDmesh™ M2. Esta revolucionaria tecnología MOSFET de potencia de alta tensión resistente a avalancha se basa en una innovadora estructura vertical propia. El resultado es una reducción drástica de resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
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