Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Corriente de Salida
18.5A
Número de pines
3
Tiempo de caída
40ns
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de unidad
MOSFET
Tiempo de Ascenso
27ns
Tensión de alimentación mínima
3V
Tensión Máxima de Alimentación
30V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
15.75mm
Altura
34.95mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados usando la tecnología MDmesh™ M2. Esta revolucionaria tecnología MOSFET de potencia de alta tensión resistente a avalancha se basa en una innovadora estructura vertical propia. El resultado es una reducción drástica de resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
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ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
Volver a intentar más tarde
$ 223.350
$ 4.467 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 265.786
$ 5.315,73 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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TO-220
Tipo de unidad
MOSFET
Tiempo de Ascenso
27ns
Tensión de alimentación mínima
3V
Tensión Máxima de Alimentación
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
15.75mm
Altura
34.95mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados usando la tecnología MDmesh™ M2. Esta revolucionaria tecnología MOSFET de potencia de alta tensión resistente a avalancha se basa en una innovadora estructura vertical propia. El resultado es una reducción drástica de resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
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