Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
290mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
45W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
39nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.3mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
290mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
45W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
39nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.3mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
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