Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
290 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
39 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
9.3mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 8.664
Each (Sin IVA)
$ 10.310
Each (IVA Incluido)
1
$ 8.664
Each (Sin IVA)
$ 10.310
Each (IVA Incluido)
1
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 8.664 |
10 - 99 | $ 7.363 |
100 - 499 | $ 5.888 |
500 - 999 | $ 5.245 |
1000+ | $ 4.427 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
290 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
39 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
9.3mm
Datos del producto