MOSFET STMicroelectronics STP20NF20, VDSS 200 V, ID 18 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
15.75mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 105.550
$ 2.111 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 125.604
$ 2.512,09 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 105.550
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.111 | $ 105.550 |
| 100 - 200 | $ 1.583 | $ 79.150 |
| 250+ | $ 1.425 | $ 71.250 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
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STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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