Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 13.075
$ 2.615 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 15.559
$ 3.111,85 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 13.075
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 2.615 | $ 13.075 |
| 25 - 45 | $ 2.482 | $ 12.410 |
| 50 - 120 | $ 2.237 | $ 11.185 |
| 125 - 245 | $ 2.010 | $ 10.050 |
| 250+ | $ 1.912 | $ 9.560 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


