MOSFET STMicroelectronics STP18NM60N, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 761-0051PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP18NM60N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

13 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

285 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.75mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

MOSFET STMicroelectronics STP18NM60N, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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Tipo de Montaje

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3

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

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110 W

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Anchura

4.6mm

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Si

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Altura

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