MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STP18N65M2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-25/25 V
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Configuración de transistor
Single
Longitud
10.4mm
Altura
15.75mm
Ancho
4.6 mm
Número de Elementos por Chip
1
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 133.100
$ 2.662 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 158.389
$ 3.167,78 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.662 | $ 133.100 |
| 100 - 200 | $ 2.076 | $ 103.800 |
| 250+ | $ 1.868 | $ 93.400 |
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MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-25/25 V
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
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Configuración de transistor
Single
Longitud
10.4mm
Altura
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Ancho
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Número de Elementos por Chip
1
País de Origen
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