Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
330 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Anchura
4.6mm
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
15.75mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 16.695
$ 3.339 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 19.867
$ 3.973,41 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 3.339 | $ 16.695 |
| 25 - 45 | $ 3.175 | $ 15.875 |
| 50 - 120 | $ 2.857 | $ 14.285 |
| 125 - 245 | $ 2.567 | $ 12.835 |
| 250+ | $ 2.441 | $ 12.205 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
330 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Anchura
4.6mm
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
15.75mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).


